(Контакт најдобра цена) IRFR7540TRPBF Електронски компоненти Делови интегрирано коло MCU IC чипови IRFR7540TRPBF
Атрибути на производот
| ТИП | ОПИС |
| Категорија | Дискретни полупроводнички производи |
| Мфр | Инфинеон технологии |
| Серии | StrongIRFET™ |
| Пакет | Лента и макара (TR) Сечена лента (КТ) Digi-Reel® |
| Статус на производот | Активен |
| Тип FET | N-канал |
| Технологија | МОСФЕТ (метален оксид) |
| Одвод до изворниот напон (Vdss) | 60 В |
| Струја – Континуирано одводнување (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Погонски напон (Max Rds вклучено, Min Rds вклучено) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,8 mOhm @ 66A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3,7V @ 100µA |
| Полнење на портата (Qg) (макс) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Vgs (макс) | ±20V |
| Влезен капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 4360 pF @ 25 V |
| Функција FET | - |
| Дисипација на енергија (макс) | 140 W (Tc) |
| Работна температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип на монтирање | Површинска монтажа |
| Пакет со уреди за добавувач | D-PAK (TO-252AA) |
| Пакет / Случај | TO-252-3, DPak (2 води + јазиче), SC-63 |
| Основен број на производ | IRFR7540 |
Документи и медиуми
| ТИП РЕСУРС | ЛИНК |
| Листови со податоци | IRF(R,U)7540PbF |
| Други сродни документи | IR систем за нумерирање на делови |
| Истакнат производ | Системи за обработка на податоци |
| HTML лист со податоци | IRF(R,U)7540PbF |
| Модели ЕДА | IRFR7540TRPBF од ултра библиотекар |
| Модели за симулација | IRFR7540 модел на зачини |
Класификации за животна средина и извоз
| АТРИБУТ | ОПИС |
| Статус на RoHS | Усогласен со ROHS3 |
| Ниво на чувствителност на влага (MSL) | 1 (неограничено) |
| Статус REACH | REACH Непогодено |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Дополнителни ресурси
| АТРИБУТ | ОПИС |
| Други имиња | SP001550214 IRFR7540TRPBFCT IRFR7540TRPBFDKR IRFR7540TRPBFTR |
| Стандарден пакет | 2.000 |
Транзистор е полупроводнички уред кој најчесто се користи во засилувачи или електронски контролирани прекинувачи.Транзисторите се основните градежни блокови кои ја регулираат работата на компјутерите, мобилните телефони и сите други современи електронски кола.
Поради нивната брза брзина на одговор и висока точност, транзисторите може да се користат за широк спектар на дигитални и аналогни функции, вклучувајќи засилување, префрлување, регулатор на напон, модулација на сигнал и осцилатор.Транзисторите може да се пакуваат поединечно или на многу мала површина што може да собере 100 милиони или повеќе транзистори како дел од интегрално коло.
Во споредба со електронската цевка, транзисторот има многу предности:
1. Компонентата нема потрошувачка
Колку и да е добра цевката, таа постепено ќе се влошува поради промените во атомите на катодата и хроничното истекување на воздух.Од технички причини, транзисторите го имаа истиот проблем кога првпат беа направени.Со напредокот во материјалите и подобрувањата во многу аспекти, транзисторите обично траат 100 до 1.000 пати подолго од електронските цевки.
2. Конзумирајте многу малку енергија
Тоа е само една десетина или десетици од една електронска цевка.Не треба да го загрева влакното за да произведе слободни електрони како електронската цевка.На радиото со транзистор му требаат само неколку суви батерии за слушање шест месеци годишно, што е тешко да се направи за цевко радио.
3.Нема потреба од претходно загревање
Работете веднаш штом ќе го вклучите.На пример, радио со транзистор се исклучува веднаш штом ќе се вклучи, а телевизорот со транзистор поставува слика веднаш штом ќе се вклучи.Опремата за вакуумски цевки не може да го направи тоа.По подигањето, почекајте малку да го слушнете звукот, видете ја сликата.Јасно е дека во војската, мерењето, снимањето итн., транзисторите се многу поволни.
4. Силен и сигурен
100 пати посигурен од електронската цевка, отпорност на удар, отпорност на вибрации, што е неспоредливо со електронската цевка.Покрај тоа, големината на транзисторот е само една десетина до една стотина од големината на електронската цевка, многу малку ослободување на топлина, може да се користи за дизајнирање мали, сложени, сигурни кола.Иако процесот на производство на транзистор е прецизен, процесот е едноставен, што е погодно за подобрување на густината на инсталацијата на компонентите.
