IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 ИЦ чип Нова електронска компонента

IPD042P03L3 Г
Режим за подобрување на P-канален Транзистор со ефект на поле (FET), -30 V, D-PAK
Високо иновативните семејства Opti MOS™ на Infineon вклучуваат MOSFET-ови со моќност со p-канален.Овие производи постојано ги задоволуваат барањата за највисок квалитет и перформанси во клучните спецификации за дизајнот на електроенергетскиот систем, како што се отпорот во состојба и карактеристиките на вредност.

Резиме на карактеристики
Режим за подобрување
Логичко ниво
Лавина оценет
Брзо префрлување
Dv/dt оценет
Позлата без олово без Pb
Компатибилен со RoHS, без халогени
Квалификуван според AEC Q101
Потенцијални апликации
Функции за управување со енергија
Контрола на моторот
Вграден полнач
DC-DC
Потрошувач
Преведувачи на логичко ниво
Моќни двигатели на портата MOSFET
Други апликации за префрлување

Спецификации